High power TVS
當前位置:首頁 > 產品中心 > 保護器件 > High power TVS
Wafer NO.
Type
DIE Size(um)
Scribe lane
Wafer size(inch)
GDPW
Top Metal
PAD Open
Wafer thickness
Back side metal
Operating Voltage
VBR(1mA)
CAP(L-G)
IPP(L-G)
Vc(Max)(L-G)
芯片名稱
類型
單科芯片大小
劃片槽
芯片尺寸
數量/片
頂層金屬
焊盤尺寸
減薄厚度
背面金屬
工作電壓
擊穿電壓
電容
電流(8/20)
箝位電壓

© 2018 傲威半導體有限公司 版權所有

福建十一选五前三直最大遗漏 湖北快3走势图基本图免费下载 多乐彩中奖注数 内蒙古11远5走势图 快乐8登录 北京期货配资 今天上海快三推荐号码 山东11选5投注技巧 河北快3走势开奖结果 江西体彩多乐彩开奖结果查询 江苏11选五遗漏前三直 山西11选五走势图彩经 江苏快三人工计划精准 天津快乐十分出租 江西十一选五荐号 陕西快乐十分开奖视频 最靠谱的理财平台排名